晶体硅电池镀膜设备

CPL Solar电镀设备可为晶硅太阳能电池进行金属镀膜，该设备可通过超薄银浆精细种子层提高电池效率，以便于批量生产。

目前大部分生产商通过丝印厚膜银浆为晶硅太阳能电池进行正面电镀。通常情况下，为了获得足够的导电能力，丝网印刷接触指宽达120微米。为提高电池效率，则需增大电池的活性面积(包括半导体层和接触层)，即减少底纹，这就要求要减少接触指的宽度。但是若丝网印刷接触指长宽比不当，将导致接触指电阻增大，从而限制电池效率的提高。

CPL（Cell Plating Line）工艺使用超薄银浆精细种子层，可以通过电镀银或者镍-铜-锡来进一步增强接触指的导电能力。这既能形成精细的接触指，又能有效减少电阻。该工艺不仅能将电池效率提高0.5%，还能大幅减少银浆的使用量。CPL设备可处理晶体硅电池的尺寸达6"x6"，可选金属为Ag或者Ni-Cu-Sn。典型的Ag镀膜厚度可达5um；Ni为1um，Cu为8um，Sn为3um。该设备的年产能可达45-50MW，并可根据客户的需求进行定制化产能设计。

CPL设备配有自动电池装载系统(栈式及槽式均可)。由于电池在CPL生产线上进行传送时始终保持竖直状态，其所受化学阻力的损害显着小于水平传送状态下所受损害。CPL设备优势极为明显，降低化学原料使用量的同时，大幅减少生产过程中产生的废水量。