镀膜技术十个主要问题2

六、TiN氮化钛镀膜具有那些特点?

有以下的优点：(1)抗磨损E8-8E2i,

(2)具亮丽的外观2>s@2=A q

(3)具安全性，可使用于外科及食品用具。HvITw%`

(4)具润滑作用，可减少磨擦。-0KQ
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(5)具防蚀功能'o2V}L'nG

(6)可承受高温j

七、CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为那五个步骤?

(1)不同成份气相前置反应物由主流气体进来，以扩散机制传输基板表面。理想状况下，前置物在基板上的浓度是零，亦即在基板上立刻反应，实际上并非如此。 s'LY) _n

(2)前置反应物吸附在基板上，此时仍容许该前置物在基板上进行有限程度的表面横向移动。jWb;Xk4

(3)前置物在基板上进行化学反应，产生沉积物的化学分子，然后经积聚成核、迁移、成长等步骤，最后联合一连续的膜。e_6@oh2s-

(4)把多余的前置物以及未成核的气体生成物去吸附。$'}:nwq6x

(5)被去吸附的气体，以扩散机制传输到主流气相，并经传送排出。

八、电浆辅助VCD系统具有何特色?

一般CVD均是在高温的基板下产生沉积反应，如果以电浆激发气体，即所谓的电浆辅助CVD(Plasma enhanced CVD 简称PECVD)，则基板温度可以大幅降低。然而一般薄层的光电镀膜或次微米线条，相当脆弱，容易受到电浆离子撞击的伤害，故PECVD并不适宜。u\zRWX

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九、CVD制程具有那些优缺点?

优点：

(1)真空度要求不高，甚至不须真空，如热喷覆。<#w0=W?

(2)高沉积速率，APCVD可以达到1μm/min。j{EN %

(3)相对于PVD，化学量论组成或合金的镀膜比较容易达成。[gFpFz|b<

(4)镀膜的成份多样化，包括金属、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、半导体、光电材料、聚合物以及钻石薄膜等。)BudV zg

(5)可以在复杂形状的基材镀膜，甚至渗入多孔的陶瓷。# )-Kf

(6)厚度的均匀性良好， LPCVD甚至可同时镀数十芯片。>5 )E\4r-

缺点：oqOv"yLJ:

(1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解。oEvXZ;F@.

(2)须在高温度下进行，有些基材不能承受，甚至和镀膜起作用。c.m8~@O5+

(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性，处理需格外小心。W4
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(4)反应生成物可能残余在镀膜，成为杂质。|,L_d2lb

(5)基材的遮蔽很难。